Datei:Partially etched silicon dioxide via Nomarski DIC.jpg
Originaldatei (2.113 × 1.550 Pixel, Dateigröße: 755 KB, MIME-Typ: image/jpeg)
Beschreibung
| Beschreibung |
English: The subject of this image is a silicon integrated circuit wafer in the region between two circuit die. The oxide should have been fully etched in the horizontal area at the center of the image, but in fact was not - because of a defect in processing. The irregular remaining oxide is highlighted by the Nomarski Differential Interference Contrast microscopy (DIC). |
| Datum | |
| Quelle | Eigenes Werk |
| Urheber | Richstraka |
The photo was imaged on color Polaroid® print film.
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| Version vom | Vorschaubild | Maße | Benutzer | Kommentar | |
|---|---|---|---|---|---|
| aktuell | 23:48, 27. Sep. 2009 | Kein Vorschaubild vorhanden | 2.113 × 1.550 (755 KB) | wikimediacommons>Richstraka~commonswiki | {{Information |Description={{en|1=The subject of this image is a silicon integrated circuit wafer in the region between two circuit die. The oxide should have been fully etched in the horizontal area at the center of the image, but in fact was not - becau |
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