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The application of a positive bias on the p-type end will lead a PN junction into the forward biased mode of operation. Positive biases lower the bands in p region. As a result, electrons in an n region and holes in a p region will have smaller barriers to overcome and diffuse to the other side. This leads to a shrinking depletion region and increased conductivity.
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{{Information |Description=The application of a positive bias on the p-type end will lead a PN junction into the forward biased mode of operation. Positive biases lower the bands in p region. As a result, electrons in an n region and holes in a p region w