Datei:Etch depth.jpg
Größe dieser Vorschau: 800 × 184 Pixel. Weitere Auflösungen: 320 × 73 Pixel | 640 × 147 Pixel | 2.903 × 666 Pixel.
Originaldatei (2.903 × 666 Pixel, Dateigröße: 1,11 MB, MIME-Typ: image/jpeg)
Beschreibung
| Beschreibung |
English: Inductively Coupled Plasma - Deep Reactive Ion Etching (ICP-DRIE) of microchannel in silicon with different aspect ratios. Smaller channels are etched with a lower etch rate, since radicals cannot enter with the same efficiency. Therefore, small channels are shallower. |
| Datum | |
| Quelle | Eigenes Werk |
| Urheber | Mgerlt |
Lizenz
Ich, der Urheber dieses Werkes, veröffentliche es unter der folgenden Lizenz:
Diese Datei ist lizenziert unter der Creative-Commons-Lizenz „Namensnennung – Weitergabe unter gleichen Bedingungen 4.0 international“.
- Dieses Werk darf von dir
- verbreitet werden – vervielfältigt, verbreitet und öffentlich zugänglich gemacht werden
- neu zusammengestellt werden – abgewandelt und bearbeitet werden
- Zu den folgenden Bedingungen:
- Namensnennung – Du musst angemessene Urheber- und Rechteangaben machen, einen Link zur Lizenz beifügen und angeben, ob Änderungen vorgenommen wurden. Diese Angaben dürfen in jeder angemessenen Art und Weise gemacht werden, allerdings nicht so, dass der Eindruck entsteht, der Lizenzgeber unterstütze gerade dich oder deine Nutzung besonders.
- Weitergabe unter gleichen Bedingungen – Wenn du das Material wiedermischst, transformierst oder darauf aufbaust, musst du deine Beiträge unter der gleichen oder einer kompatiblen Lizenz wie das Original verbreiten.
Dateiversionen
Klicke auf einen Zeitpunkt, um diese Version zu laden.
| Version vom | Vorschaubild | Maße | Benutzer | Kommentar | |
|---|---|---|---|---|---|
| aktuell | 16:19, 13. Dez. 2019 | | 2.903 × 666 (1,11 MB) | wikimediacommons>Mgerlt | User created page with UploadWizard |
Dateiverwendung
Die folgende Seite verwendet diese Datei:
